半導體器件老化測試是在一定溫度下(xià)長時間對(duì)元器件持續施加一定的電應力，通過(guò)電熱應力的綜合作用(yòng)，加速元器件内部的各種物理化學反應過(guò)程，促使元器件内部隐藏的各種潛在缺陷盡早暴露出來。傳統元器件mos管采用(yòng)矽材料，一般做簡單的靜态老化，對(duì)老化測試設備要(yào / yāo)求不高，DC高壓電源可(kě)以完成。目前，随着(zhe／zhuó／zhāo／zháo)高功率、高頻、對(duì)老化測試要(yào / yāo)求高的氮化镓等新材料的興起，脈沖高壓電源可(kě)以廣泛應用(yòng)于(yú)新材料MOS管的漏電流測試。新材料也是未來材料的發(fā／fà)展趨勢。随着(zhe／zhuó／zhāo／zháo)新材料的發(fā／fà)展，高壓脈沖電源在該領域的應用(yòng)将越來越廣泛。電源參數和測試框圖如(rú)下(xià)：
